スイスビット ベルリン工場では、通常のパッケージDRAMを 搭載せず、DRAMの中に格納されているDRAM Dieを 基板に直接実装した COB(Chip on Board)製 メモリー モジュールを製造しています。
一瞬、DRAMが載っていない様に見受けられるこのメモリ。
パッケージDRAMが搭載されているメモリーと どう性能が違うのでしょう?
Why Swissbit? Swissbit® COB製品が選ばれる理由
PCやシステムトラブルの6割は、メモリーが原因と言われています。
発熱や放熱が原因で起こる障害、そして温度抵抗や電気的な問題を全てクリアしない限り、
そのシステムトラブルを防ぐことは出来ません。
高機能、ハイパフォーマンスな高集積化製品へ搭載するシステムのフィールドアプリケーションを
考慮した上で、様々な問題を解決するためにCOB製品が開発されました。
COB(Chip On Board)実装って?
通常パッケージDRAM(TSOPやBGA)の中に格納されているDRAMの「Die」を、モジュール基板(PCB)へ直接ワイヤーボンディングで「Die実装」し、頑丈かつ放熱、耐熱に優れたエポキシ樹脂でコーティングしています。
COB製品のメリットは?
省スペースで大容量・高密度!
DRAM Die自体がとても小さいため、パッケージDRAMを搭載するより30〜40%の省スペースで すみ、基板を小さく設計したLow Profileのメモリモジュールや、その分多くDieを搭載出来ることで大容量のメモリーが製造可能です。
優れた耐熱性と放熱効果(温度抵抗)!
メモリーは、製品自体が熱を発生する部品です。DRAMは電気を通しドライブさせると発熱します。DRAMを搭載するメモリーは、高温になると周波数が低下し、負荷に耐えられない場合に不安定動作やフリーズの一原因となります。
通常熱は、DRAMパッケージのピン(TSOP)やボール(BGA)から放熱されますが、COB製品にはピンやボールがなく、ワイヤボンディングで、直接面実装されている為、熱はDRAM Dieの全面から放熱し、耐熱性に優れたエポキシ樹脂の完全コートで大きな相乗効果を発揮します。
◆温度抵抗(サーマルレジスタンス)比較(参考値)
| 実装形態 |
Rth |
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| - TSOP |
20.7° |
K/W |
|
| - uBGA |
19.7° |
K/W |
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| - COB |
4.5° |
K/W |
KW=Kelvin/WATT |
安定した電気的インピダンス!
電気の通過経路にピン(TSOP)や ボール(BGA)等の抵抗ポイントが無いCOB製品は、DRAM Dieから基板まで直接配線されているため、電気的抵抗へも優れ安定性が高くなります。
メモリーレベルでの徹底試験!
DRAM Dieを直接実装している為、メモリーに完成した状態でDRAM Dieや基板、そして実装状態までもが試験され、一枚一枚の性能を確実にチェックします。性能の微妙な差も、緻密なテストパターンがモジュールレベルで発見します。
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