ドイツ・ベルリン(製造)

Swissbitベルリン工場では、DRAMモジュール、NANDフラッシュ製品の製造および、COB、特許技術のDie-stacking、COF、Flip-Chip, そしてSIP技術を駆使した工業製品を製造しています。

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パフォーマンスを約束する信頼性試験 / Better Testing Equals Better Performance

  • 設備機械(Advantest, KTI、CST)
  • システムレベルバーインテスト
  • 4段階のグレード別温拡試験
  • 各種環境試験
  • 各種アプリケーション試験
  • 電気解析、物理解析

製造マネジメント / Reliable Management

  • コントロールBOMによる完全部材管理
  • 全製品シリアル番号、Lot番号管理
  • エンジニアリングレポート、品質試験報告書作成
  • 産業仕様に合わせた長期供給
  • 工場VMI 管理によるユーザー在庫サポート
  • 仕様変更(PCN)、終息品(EOL)、5M変更管理

ベルリン工場 技術紹介 / Technology from Swissbit Germany

Chip On Board (COB) – ※ COB構造の詳しい優位性を見る(COB_DRAM_Technical_Info.pdf

  • チップオンボード技術は、通常パッケージ化されたDRAMの中に格納されている「DRAM-Die」をボンディングワイヤで直接基板へ実装し、強度と放熱に優れたエポキシ樹脂でDRAM-Dieとワイヤ実装部分を完全に保護コーティングします。
    エポキシコーティングは、DRAM-DieとPCB間の熱抵抗に対して外部への放熱性を向上させ、ヒートスプレッダ機能と同様の効果があります。

代表的なCOB実装の優位性

  • - 実装面の省スペース化 : LowProfile(1.00インチ以下)の高さおよび3.0mm厚のDRAMモジュールを可能にします。
  • - パッケージDRAM搭載品に比べて効果的に放熱し、厳しいエアフロー条件において、より低いジャンクション温度下での安定動作を可能にします。
  • - DRAMモジュールやSDカードのようなフラッシュ製品でのCOB実装は、衝撃や振動を伴う悪環境下において、優れた耐性を発揮します。
  • - 熱劣化やストレス劣化を防ぐ長寿命の優位性があります。
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      実装面全体からの熱ディストリビュート
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      Pinやballがないインピダンス特性
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      熱硬化性樹脂で完全封止の強靭性と高耐熱性

Die-stacking(特許技術)

  • 限られたスペースで、より高い容量を確保するために、発熱や放熱のトラブルを完全にクリアした技術が、Die-Stackingです。
    Dieをスタックする特許技術は、一層目のDieと二層目のDieからボンディングするワイヤの長さを 変え、電気的シグナルを同時にし、タイミングを合わせるように設計されています。またDieとDieの間にスペーサーを挟み、サーマルストレスを最小限におさえます。
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Chip On Flex (COF)

  • チップオンフレックス技術は、COB実装の特殊形式です。現在、機械産業、自動車、医療、軍事産業、FA、および 航空電子工学産業を含む幅広い分野において、高度技術製品として採用されています。
    省スペースでコンパクトな設計や、複雑な形状への実装、そして 薄型・軽量でありながら熱耐久性があるCOF実装は、フレキシブルな機能性がその大きな特長です。
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実装部材や実装方法は、様々な目的に応じて異なり、リジットやセミリジット基板、またセミフレキシブル基板など、アプリケーションへ適切に、そして 動的/静的な屈曲性を考慮してデザインされます。
たとえばフレックスコネクションには、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンンフタレートを使い、ポリイミドやFR4、ポリエチレンテレフタレート(PET)、アルミニウムそしてスチール材を補強材として使用します。
チップボンディングは、セラミックやフレキシブルホルダーなどの基板へ高精度かつ確実な位置に半導体チップを実装することが可能です。
さらに 機械的な実装だけではなく、絶縁や導電性接着、必要に応じてダイオードやチップLEDなどの電気的コンタクトを用いてヒートロス効果を可能にします。
ワイヤボンディングには、アルミニウム合金(半導体チップ接触面の金属)や金(基板コンタクト部分の金属、ニッケル-金合成)が使用され、直径は22~25μmを採用し、超音波実装と熱圧着実装(熱効果超音波)の基本的な技術プロセスを用いた微細溶接でインナーボンディングをおこないます。
超音波エネルギー、接着時間および接着強度、これらの要素と熱のメカニカルな性質は、微細溶接の重要パラメータです。
精巧に整備された実装装置により最適に接合されるワイヤボンディングは、機械的な検査工程(Pull-Test)と光学検査でその精度を検査します。
このようなチップコンパウンド実装は、エポキシ樹脂処理の多様性や、環境保全の視点から、様々なアプリケーションへの可能性を兼ね備えています。

Flip-Chip

チップの入出力端子上にバンプ(突起電極)を形成して半導体を接続する微細なフリップチップ実装の優位性は、ワイヤボンディングよりも実装面積が小さい高密度化と、薄型・軽量化が実現可能であることです。
基板へチップの回路面を直接実装するバンプ実装は、電気的特性に優れ、ノイズや配線のインダクタンスを低減します。

【実装方法】
  • アンダーフィラーを用いた半田リフローによるチップと基板間を硬化・補強
  • 等方性導電性接着およびアンダーフィラー補強・硬化
  • アンダーフィラーを使用しない異方導電性接着
  • ノーフロー・アンダーフィラーおよび樹脂接着(Stud Bump Bonding=SBB)、半田バンプ接着、導電性接着

System In Package(SIP)

システムインパッケージ(SIP)は、ベアDieやチップを一つのモジュールやコンポーネントへ実装するプロセス技術です。
Swissbitでは、マルチチップや小型化における高度なパッケージング技術を使用したSIPで20年の経験があり、微細集積技術はメモリの高容量化や高機能化へ貢献しています。
ウェハやベアDieの取扱いから、COB(Chip On Board)実装、そしてパッケージ(SMT)製品までの柔軟な実装技術を持ち合わせ、SMT実装ライン、ダイボンディングやワイヤボンディング(Au/AIワイヤ)、Glob-Topの実装ライン、そしてレーザー技術部隊やハウジング組立て(圧着)ライン、検査・試験ライン等、正確に分けられた各々の製造ラインが効果的に確立しています。

フラッシュメモリ製品およびDRAM製品に採用する「ダイスタッキング技術」は、ハードウェアの特長を熟知した各種試験の構築、品質エンジニアの長年の経験とノウハウ、そして高度な技術により完成されます。
高集積技術や高信頼製品の開発へ、Swissbitは独自の高い技術を駆使し、更なる挑戦を続けていきます。

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